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| FET 類型 | P 通道 |
|---|---|
| 技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) |
| 漏源電壓(Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時) | 25A(Ta) |
| 驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,5V |
| 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值) | 80 毫歐 @ 25A,5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)(最大值) | 20nC @ 5V |
| Vgs(最大值) | ±15V |
| 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值) | 1260pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散(最大值) | 75W(Tj) |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | DPAK |
| 封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線 + 接片),SC-63 |